Page 19 - Zirnstein, Elizabeta, 2016. Izumi, avtorska dela in drugi rezultati ustvarjalnosti in inovativnosti delovnem razmerju. Koper: Založba Univerze na Primorskem.
P. 19
Alokacija koristi, ki izhajajo iz ustvarjalnosti in inovativnosti v delovnem razmerju 19
Novi (izvirni) oblikovalski dosežki so lahko tudi predmet avtor-
skopravnega varstva, če zanj izpolnjujejo pogoje (prim. 39. člen ZIL-1). V
tem primeru je vsebina upravičenj, ki jih prinaša takšno varstvo, enaka kot
za vsa druga avtorska dela (kar smo že opisali zgoraj).
Topografije polprevodniških vezij
Delovanje polprevodniških izdelkov (čipov) je večinoma odvisno od njiho-
ve topografije. Topografija polprevodniškega vezja17 je enolično določeno
zaporedje medsebojno povezanih slikovnih vzorcev za vsako plast polpre-
vodniškega vezja, polprevodniško vezje pa je naprava za izvajanje elektron-
ske funkcije, ki je v končni obliki nedeljiva celota iz ene ali več spojenih pla-
sti s polprevodniškimi elementi, od katerih je vsaj eden aktiven element (2.
člen Zakona o varstvu topografije polprevodniških vezij – v nadaljevanju:
ZVTPPV18.) Topografije polprevodniških vezij so običajno rezultat velikih
finančnih investicij ter dela visokokvalificiranih strokovnjakov. Uporablja-
jo se za širok krog elektronskih naprav in proizvodov v vsakdanji uporabi,
od ur do sofisticirane procesne opreme. V nasprotju z visokimi stroški za
nastanek topografij je njihovo kopiranje relativno poceni, tehnologija, ki
tako kopiranje omogoča, pa je široko dostopna, kar je eden glavnih razlo-
gov za varstvo s posebno pravico industrijske lastnine.
Pridobitev in varstvo topografije polprevodnikov ter ureditev
imetništva pravic iz topografij je predmet tako nacionalnih zakonodaj kot
tudi mednarodnih pogodb.19 Ker je mikroelektronska tehnologija prodrla
na trg v času, ko je bila klasična zakonodaja varstva industrijske lastnine že
razvita in utečena, so države uredile varstvo teh pravic s posebno, sui gene-
ris pravico intelektualne lastnine, ureditev pa je v večini držav zelo podob-
na, sploh v Evropi, kjer je bila z Direktivo 87/54/EGS20 dosežena substan-
17 V angleščini so se za polprevodniško vezje (enakovreden izraz je polvodniško vezje) uveljavili različ-
ni izrazi, in sicer »semiconductor chip product«, »semiconductor product« ter »integrated circu-
it«, za topografije polprevodniških vezij pa se uporabljajo izrazi: »mask work«, »layout-design« in
»topography«.
18 Uradni list RS, št. 21/1995, 96/2002, 7/2003, 60/2006, 81/2006.
19 V okviru WIPO je bila leta 1989 v Washingtonu sprejeta Pogodba o intelektualni lastnini v zvezi
s polprevodniškimi vezji (angl. Treaty on Intellectual Property in respect of Integrated Circuits), v
okviru EU pa Direktiva Sveta št. 87/54/EGS z dne 16. decembra 1986 o pravnem varstvu topografi-
je polprevodniških vezij (UL L 24, 27. 1. 1987, 36). Pravno varstvo topografij polvodniških vezij je re-
lativno novo, saj so bili prvi zakoni o tem sprejeti šele konec 20. stoletja. Tako je bil npr. Semicondu-
ctor chip protection act v ZDA sprejet leta 1984, japonski leta 1985 ter nemški leta 1987 (obrazloži-
tev k predlogu za izdajo zakona o varstvu topografije polprevodniških vezij z osnutkom zakona, Po-
ročevalec DZ, št. 3/1993, 13).
20 Direktiva Sveta št. 87/54/EGS z dne 16. decembra 1986 o pravnem varstvu topografije polprevo-
dniških vezij (UL L 24, 27. 1. 1987, 36).
Novi (izvirni) oblikovalski dosežki so lahko tudi predmet avtor-
skopravnega varstva, če zanj izpolnjujejo pogoje (prim. 39. člen ZIL-1). V
tem primeru je vsebina upravičenj, ki jih prinaša takšno varstvo, enaka kot
za vsa druga avtorska dela (kar smo že opisali zgoraj).
Topografije polprevodniških vezij
Delovanje polprevodniških izdelkov (čipov) je večinoma odvisno od njiho-
ve topografije. Topografija polprevodniškega vezja17 je enolično določeno
zaporedje medsebojno povezanih slikovnih vzorcev za vsako plast polpre-
vodniškega vezja, polprevodniško vezje pa je naprava za izvajanje elektron-
ske funkcije, ki je v končni obliki nedeljiva celota iz ene ali več spojenih pla-
sti s polprevodniškimi elementi, od katerih je vsaj eden aktiven element (2.
člen Zakona o varstvu topografije polprevodniških vezij – v nadaljevanju:
ZVTPPV18.) Topografije polprevodniških vezij so običajno rezultat velikih
finančnih investicij ter dela visokokvalificiranih strokovnjakov. Uporablja-
jo se za širok krog elektronskih naprav in proizvodov v vsakdanji uporabi,
od ur do sofisticirane procesne opreme. V nasprotju z visokimi stroški za
nastanek topografij je njihovo kopiranje relativno poceni, tehnologija, ki
tako kopiranje omogoča, pa je široko dostopna, kar je eden glavnih razlo-
gov za varstvo s posebno pravico industrijske lastnine.
Pridobitev in varstvo topografije polprevodnikov ter ureditev
imetništva pravic iz topografij je predmet tako nacionalnih zakonodaj kot
tudi mednarodnih pogodb.19 Ker je mikroelektronska tehnologija prodrla
na trg v času, ko je bila klasična zakonodaja varstva industrijske lastnine že
razvita in utečena, so države uredile varstvo teh pravic s posebno, sui gene-
ris pravico intelektualne lastnine, ureditev pa je v večini držav zelo podob-
na, sploh v Evropi, kjer je bila z Direktivo 87/54/EGS20 dosežena substan-
17 V angleščini so se za polprevodniško vezje (enakovreden izraz je polvodniško vezje) uveljavili različ-
ni izrazi, in sicer »semiconductor chip product«, »semiconductor product« ter »integrated circu-
it«, za topografije polprevodniških vezij pa se uporabljajo izrazi: »mask work«, »layout-design« in
»topography«.
18 Uradni list RS, št. 21/1995, 96/2002, 7/2003, 60/2006, 81/2006.
19 V okviru WIPO je bila leta 1989 v Washingtonu sprejeta Pogodba o intelektualni lastnini v zvezi
s polprevodniškimi vezji (angl. Treaty on Intellectual Property in respect of Integrated Circuits), v
okviru EU pa Direktiva Sveta št. 87/54/EGS z dne 16. decembra 1986 o pravnem varstvu topografi-
je polprevodniških vezij (UL L 24, 27. 1. 1987, 36). Pravno varstvo topografij polvodniških vezij je re-
lativno novo, saj so bili prvi zakoni o tem sprejeti šele konec 20. stoletja. Tako je bil npr. Semicondu-
ctor chip protection act v ZDA sprejet leta 1984, japonski leta 1985 ter nemški leta 1987 (obrazloži-
tev k predlogu za izdajo zakona o varstvu topografije polprevodniških vezij z osnutkom zakona, Po-
ročevalec DZ, št. 3/1993, 13).
20 Direktiva Sveta št. 87/54/EGS z dne 16. decembra 1986 o pravnem varstvu topografije polprevo-
dniških vezij (UL L 24, 27. 1. 1987, 36).
